氮化硅薄膜窗口是透射電鏡常用的耗材，在樣品桿上進行實驗。根據實驗需求的不同，科研人員采用不同的樣品桿和氮化硅薄膜窗口進行相關實驗。有些實驗，對樣品桿有加熱的功能需求，因此出現了加熱樣品桿和加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）。

　　加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術，在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設計，減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性，從而能夠在一個穩(wěn)定的平臺上同時進行試樣的加熱和電化學表征。

　　電學表征：透射電鏡的電學測試面臨的最大挑戰(zhàn)是：表征納米尺度樣品的電學性能時，所需要的電流非常小，通常小于1nA，并且必須被準確的加載和測量以確保結果的準確性。選擇合適的加熱桿才能獲得可靠的實驗數據。根據加熱桿，定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）或者加熱桿廠家直接提供都是可以的。

　　原位芯片提供的定制熱學/加熱芯片是依靠氮化硅膜超高的穩(wěn)定性和低熱容量的特點實現穩(wěn)定的原位熱學觀測。芯片使用鉑為加熱電極層與信號反饋層，可耐受1200℃高溫。定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）可高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態(tài)進行綜合表征。適合：真空條件下的熱反應過程(如材料相變)以及電學下的氧化還原反應等。